二维电子系统微波光电阻中的多光子过程

利用单色和双色辐射，我们将超高迁移率二维电子系统 (2DES) 的微波光电阻研究扩展至高强度、非线性区域。在高强度单色辐射 $\omega$ 下，我们观察到新的零阻态 (ZRS)，它们对应于 $\epsilon=\omega/\omega_C$ ($\omega_C$ 为回旋频率) 的有理数值，并可归因于多光子过程。这些有理 ZRS 的形成伴随着光电阻谱的剧烈重构，表现为电阻峰的减小、变窄和相位缩减，以及在 $\epsilon<1/2$ 时电阻的整体抑制。在双色辐射 $\omega_1,\omega_2$ 下，我们发现了新的电阻极小值，这可能是双色 ZRS 的前兆，它似乎源于频率混合过程 $\omega_1+\omega_2$。这些发现表明，多光子过程在微波驱动的 2DES 的非平衡输运物理中起着重要作用，并为理论和实验研究提出了新方向。