量子点的光学性质与 Voronoi 元胞面积的关联
介观与纳米尺度物理
2019-10-04 v3 材料科学
摘要
半导体量子点（QD）能够以高速率产生高度不可区分的单光子。为应用于量子通信及在混合系统中的集成，对 QD 光学性质的控制至关重要。因此理解 QD 光学性质与生长过程之间的联系十分重要。此处我们展示，对于通过填充液滴刻蚀纳米孔生长的 GaAs QD，其发射波长、中性到带电激子分裂以及抗磁位移均与捕获区面积（成核理论中的一个重要概念）强相关。我们表明捕获区模型适用于该体系的生长，即使在 QD 密度低的极限下——此时原子在 m 距离上扩散。各种 QD 参数间的强关联便于针对具有特定 QD 性质需求的应用预选 QD；它们也暗示若能在规则晶格上实现 QD 生长，则将得到谱线窄化的 QD 分布。
引用
@article{arxiv.1902.10145,
title = {Correlations between Optical Properties and Voronoi-Cell Area of Quantum Dots},
author = {Matthias C. Löbl and Liang Zhai and Jan-Philipp Jahn and Julian Ritzmann and Yongheng Huo and Andreas D. Wieck and Oliver G. Schmidt and Arne Ludwig and Armando Rastelli and Richard J. Warburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.10145},
year = {2019}
}