ZnO界面点环纳米结构中电子电荷与自旋分布的有效调控
介观与纳米尺度物理
2018-03-14 v1
摘要
包含少量相互作用电子的ZnO量子点环纳米结构中的电子态和Aharonov-Bohm效应揭示了若干独特特征。我们在此表明，与由传统半导体（如InAs或GaAs）制成的点环相比，ZnO异质结中的点环由于ZnO中量子点和量子环的异常特性而展现出若干独特特征。特别是，ZnO点环的能谱和Aharonov-Bohm振荡强烈依赖于点或环中的电子数。因此，即使限制势、点环尺寸或磁场的微小变化，也能剧烈改变系统中的能谱和Aharonov-Bohm振荡行为。由于这一有趣现象，可以高精度地有效控制点环结构内部的电子电荷和自旋分布。这种控制可以通过改变磁场或限制势来实现。
引用
@article{arxiv.1708.05484,
title = {Effective tuning of electron charge and spin distribution in a dot-ring nanostructure at the ZnO interface},
author = {Tapash Chakraborty and Aram Manaselyan and Manuk Barseghyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.05484},
year = {2018}
}