GaAs/AlGaAs 量子点阵列中的非线性和依赖量子点的塞曼劈裂
介观与纳米尺度物理
2018-02-14 v1
摘要
我们研究了通过分裂栅在 GaAs-AlGaAs 异质结构中定义的横向量子点中的塞曼劈裂。我们证明了劈裂对磁场的非线性依赖性，以及其在不同量子点之间和不同异质结构之间的显著变化。这些现象在信息处理背景下非常重要，因为塞曼劈裂的可调性和对量子点的依赖性允许对自旋进行选择性操控。我们表明，与 GaAs 能带结构相关的自旋轨道效应定量地解释了观察到的塞曼劈裂非线性依赖性的大小。此外，自旋轨道效应导致塞曼劈裂主要依赖于面外量子点限制能。我们还表明，异质结构中由电荷无序引起的限制能变化可以解释塞曼劈裂对量子点位置的依赖性。该位置可以通过改变栅极电压来调节，从而导致电可调的塞曼劈裂。
引用
@article{arxiv.1709.08971,
title = {Non-linear and dot-dependent Zeeman splitting in GaAs/AlGaAs quantum dot arrays},
author = {V. P. Michal and T. Fujita and T. A. Baart and J. Danon and C. Reichl and W. Wegscheider and L. M. K. Vandersypen and Y. V. Nazarov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.08971},
year = {2018}
}