小朗道能级间隙电子气中的Pfaffian态
介观与纳米尺度物理
2018-02-06 v2 强关联电子
摘要
朗道能级混合在Pfaffian(或反Pfaffian)态中起着重要作用。在ZnO中，朗道能级间隙比GaAs量子阱中小约一个数量级。我们引入单朗道能级中的屏蔽库仑相互作用来处理这种情况。在此我们研究ZnO中存在的偶分母分数量子霍尔(FQH)态的基态与Pfaffian(或反Pfaffian)态的重叠。该重叠强烈依赖于系统尺寸，这暗示在极端朗道能级混合极限下新提出的粒子-空穴对称Pfaffian基态。当库仑相互作用与朗道能级间隙之比\k{appa}变化时，我们在2 < \k{appa} < 3范围内发现可能的拓扑相变，该相变实际上在实验中观察到。然后我们研究量子阱宽度与屏蔽结合如何影响重叠。
引用
@article{arxiv.1704.05107,
title = {The Pfaffian state in an electron gas with small Landau level gaps},
author = {Wenchen Luo and Tapash Chakraborty},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.05107},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures, accepted for publication as a rapid communication in PRB