蜂窝材料中近室温量子反常霍尔效应的预测
材料科学
2014-12-17 v2
摘要
最近，这一长期寻求的量子反常霍尔效应在磁性拓扑绝缘体中得以实现。然而，极低温（约 30 mK）的要求阻碍了实际应用。基于\textit{ab-initio}能带结构计算，我们提出了一个量子反常霍尔平台，其在分别由 Sn 和 Ge 组成的蜂窝晶格上具有 0.34 和 0.06 eV 的大能隙。通过控制表面功能化而非稀磁掺杂，铁磁序在蜂窝结构的一个子晶格中形成，预计可在实验中通过自旋极化 STM 观察到。固有的 QSH 态与铁磁性之间的强耦合导致了显著的交换分裂，从而产生具有大能隙的铁磁绝缘体。估计的 Sn 和 Ge 晶格的平均场居里温度分别为 243 和 509 K。大能隙和高居里温度表明在近室温甚至室温区域实现 QAH 效应的可行性。
引用
@article{arxiv.1405.4731,
title = {Prediction of Near-Room-Temperature Quantum Anomalous Hall Effect on Honeycomb Materials},
author = {Shu-chun Wu and Guangcun Shan and Binghai Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.4731},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 4 figures and 1 table