量子霍尔结构中交流电导的非接触测量

我们报告了一种在宽频域内确定量子霍尔结构频率相关电导的方法。该方法基于两种已知的无探针方法——声学光谱和微波光谱的结合。通过声学光谱，我们研究了压电晶体中电子（空穴）层附近表面声波的低频衰减和相移。电子贡献通过其对横向磁场的依赖性得以分辨。在高频下，我们研究了共面波导中电磁波的衰减。为了定量校准这些数据，我们利用了在量子霍尔效应区域，电导在其磁场依赖性的最大值处由扩展态决定的事实。因此，在宽频域内它应该是频率无关的。该方法通过对一个良好表征的$p$-SiGe/Ge/SiGe异质结构的研究进行了验证。