对Lee和Yang关于Phys. Rev. Lett. 127, 176601 (2021)评论的回复
介观与纳米尺度物理
2023-05-26 v1 强关联电子
摘要
在本回复中，我们回应Phys. Rev. Lett. 130, 219702 (2023)中对我们的Phys. Rev. Lett. 127, 176601 (2021)''三维高阶拓扑绝缘体的库仑不稳定性''的评论。我们指出Phys. Rev. Lett. 130, 219701 (2023)中给出的表面能隙不同于采用公认方法推导的表达式，且在较低能量下发散并奇异，因此不适合描述从二阶到一阶拓扑绝缘体的相变。我们进一步表明，若重整化群（RG）方案以体能隙为起点，正确的表面能隙可描述该相变。我们为Phys. Rev. Lett. 127, 176601 (2021)中从二阶拓扑绝缘体到一阶拓扑绝缘体及普通绝缘体的相变判据进行了辩护。
引用
@article{arxiv.2305.15666,
title = {Reply to Comment on Phys. Rev. Lett. 127, 176601 (2021) by Lee and Yang},
author = {Peng-Lu Zhao and Xiao-Bin Qiang and Hai-Zhou Lu and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.15666},
year = {2023}
}
备注
3 pages,1 figure. A long version with the detailed calculations