二维金属-绝缘体转变附近的介观行为

我们研究了二维电子气中电导涨落随化学势（或栅极电压）的变化，范围从强绝缘体到金属态。涨落的功率谱以两个不同的指数（1/v_l 和 1/v_h）衰减。对于电导 $\sigma\sim 0.1 e^{2}/h$，我们在最短的样品中发现了第三个指数（1/v_i），并且 v_i 和 v_l 对 $\sigma$ 的依赖是非单调的。我们研究了 v_i、v_l、v_h 以及相应涨落方差对 $\sigma$、样品尺寸和温度的依赖性。在 $\sigma\simeq 0.1 e^{2}/h$ 附近的异常表明介电响应和屏蔽长度具有临界行为，即库仑关联主导了该物理过程。