接近电子气的超导体中的耗散相位涨落

我们研究了靠近二维金属薄片的二维超导体。超导体薄片中的电子仅通过库仑相互作用与金属薄片中的电子相互作用。通过积分出问题中所有电子自由度，我们获得了超导体的有效相位-only 作用。发现金属薄片中正常电子的库仑拖拽会使超导体中相位涨落的谱在长波长下呈耗散。耗散系数 $\eta$ 被证明与超导层 ($\sigma_S$) 和金属薄片 ($\sigma_E$) 的正常态电导率之间存在简单关系，关系式为 $\eta \propto {\sigma_S\sigma_E\over \sigma_S+\sigma_E}$。