二维“金属”态中电子-电子相互作用与无程序的相对重要性
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
研究了基板偏置和表面栅极电压对 Si-MOSFET 低温电阻的影响。当电子浓度使得电阻随温度升高时，该技术提供了两种自由度用于控制电子浓度和器件迁移率，从而可用于评估电子-电子相互作用与无程序在该“金属” regime 中的相对重要性。在费米温度以下的温度下，数据遵循一种尺度律，其中无程序参数 (k_F l) 而非浓度显式出现。这表明尽管存在相互作用，但它们不会根本性地改变系统的费米液体性质。此外，基于温度依赖屏蔽效应的计算结果在 Drude-玻尔兹曼理论框架下得以再现。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108244,
title = {The relative importance of electron-electron interactions compared to disorder in the two-dimensional "metallic" state},
author = {A. Lewalle and M. Pepper and C. J. B. Ford and E. H. Hwang and S. Das Sarma and D. J. Paul and G. Redmond},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108244},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 6 figures