量子点与二维半导体间近场能量转移的电学调控
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1
摘要
我们研究了化学合成量子点（QDs）与二维半导体之间的近场能量转移。我们制备了如下器件：静电门控的半导体单层二硫化钼（MoS2）置于均质自组装的核壳结构 CdSSe 量子点层之上。我们展示了从量子点到 MoS2 的高效非辐射 Förster 共振能量转移（FRET），并证明 MoS2 激子吸收中适度的栅极诱导变化会导致 FRET 速率的大幅（~500%）改变。这进而允许对量子点光致发光强度进行高达 ~75% 的电学调制。混合 QD/MoS2 器件在小的电压范围内工作，允许对量子点光致发光强度进行连续调节，并可用于对可见-红外波段发光的量子点进行选择性调谐。
引用
@article{arxiv.1506.04716,
title = {Electrical control of near-field energy transfer between quantum dots and 2D semiconductors},
author = {Dhiraj Prasai and Andrey R. Klots and A. K. M. Newaz and J. Scott Niezgoda and Noah J. Orfield and Carlos A. Escobar and Alex Wynn and Anatoly Efimov and G. Kane Jennings and Sandra J. Rosenthal and Kirill I. Bolotin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.04716},
year = {2015}
}
备注
19 Pages, 11 figures. Main text and supporting information. Nano Letters, 2015, Article ASAP