具有增强光电流与光谱响应度的混合量子点-二硫化锡场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-04-20 v1
摘要
我们报道了少层二硫化锡（SnS2）场效应晶体管（FETs）在掺入 CdSe/ZnS 核/壳量子点（QDs）后光电灵敏度的提升。混合 QD-SnS2 FET 器件相较于初始的纯 SnS2 FET 器件，光电流响应提升了 500% 以上，且在 400 nm 波长下光谱响应度达到超过 650 A/W。对照仅含 QD 的 FET 器件中可忽略的电导表明，QD 与 SnS2 之间的能量转移是增敏效应的主要机制，这与 QD 光致发光和 SnS2 光学吸收之间的强光谱重叠以及 QD 核与 SnS2 之间较大的名义供体-受体间距相一致。我们还发现混合 QD-SnS2 FETs 中电荷载流子迁移率增强，这归因于背景电荷载流子密度升高导致接触肖特基势垒宽度减小。
引用
@article{arxiv.1512.04646,
title = {Hybrid quantum dot-tin disulfide field-effect transistors with improved photocurrent and spectral responsivity},
author = {Yuan Huang and Huidong Zang and Jia-Shiang Chen and Eli A. Sutter and Peter W. Sutter and Chang-Yong Nam and Mircea Cotlet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.04646},
year = {2016}
}