基于单层 MoS2 的小信号放大器
介观与纳米尺度物理
2012-08-28 v1 材料科学
摘要
本文演示了基于单层 MoS2（一种石墨烯的半导体类似物）的模拟小信号放大器的运行。我们的器件由集成在同一块单层 MoS2 上的两个晶体管组成。1.8 eV 的高本征带隙使得基于 MoS2 的放大器能够在室温下实现 4 的增益。放大器在输入信号频率高达 2 kHz 时仍能保持大于 1 的增益。我们的工作表明，MoS2 可以有效放大信号，并可用于基于二维材料的先进模拟电路。
引用
@article{arxiv.1208.5202,
title = {Small-signal amplifier based on single-layer MoS2},
author = {Branimir Radisavljevic and Michael B. Whitwick and Andras Kis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.5202},
year = {2012}
}
备注
Submitted version of the manuscript