掺杂半导体中的电子-声子相互作用与纵-横声子劈裂

我们研究了掺杂对掺杂半导体中电子-声子相互作用及声子频率的影响,考虑了有限温度下自由载流子存在时的屏蔽效应。基于极大局域化Wannier函数开发的计算方法,我们研究了屏蔽对类Fröhlich顶点以及动力学矩阵长程分量的影响,超越了当前未掺杂晶体的描述水平。我们将该方法应用于立方碳化硅,在掺杂存在时Fröhlich耦合与纵-横声子劈裂被强烈抑制,从而影响电子寿命等可观测性质。