强电子-声子相互作用的二维掺杂半导体中的长寿命载流子
介观与纳米尺度物理
2019-10-01 v1 材料科学
摘要
通过电场效应进行载流子掺杂近来已成为监测二维（2D）材料中多体物理的理想途径，其中费米能级以一种——间接地——也可扫描相互作用强度的方式被调节。系统性掺杂的可能性结合高分辨光发射，使得在单层 MoS2 过渡金属硫族化物中揭示出真正的多体电子谱成为可能，分辨出三个清晰的准粒子态，而如果电子-声子相互作用消失则只应预期一个态。我们的分析结合了第一性原理与一致的复平面解析方法，并阐明了光发射谱中明确存在的两个能隙与三个准粒子带的物理起源。这些态之一尽管与伴随的虚声子云强相互作用，却呈现出显著长的寿命，这是试图理解并利用多体相互作用来调节输运性质时的一个引人注目的性质。
引用
@article{arxiv.1905.05168,
title = {Long living carriers in a strong electron-phonon interacting two-dimensional doped semiconductor},
author = {Peio Garcia-Goiricelaya and Jon Lafuente-Bartolome and Idoia G. Gurtubay and Asier Eiguren},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.05168},
year = {2019}
}
备注
Editorially accepted for publication in "Communications Physics" (14 pages, 3 figures)