掺杂锑烯的电子-声子性质与超导性
超导电性
2019-03-06 v4 材料科学
摘要
锑烯是近年来发现的二维半导体，具有优异的环境稳定性、高载流子迁移率和强自旋轨道相互作用。结合电场，后者由于诱导的自旋分裂而提供了对材料性质的额外控制自由度。在此，我们报道关于 型和 型掺杂锑烯中电子-声子耦合与超导性的计算研究，其中我们特别关注垂直电场的影响。可及的空穴浓度范围受到与强费米面嵌套相关的动力学不稳定性的显著限制。同时，我们发现对于电子掺杂情况锑烯保持稳定，并且可被转变为具有强电子-声子耦合的状态，在现实载流子浓度下质量增强因子 可达 2.3。在此 regime 下，锑烯预期为临界温度约 16 K 的超导体。偏置电压的应用导致电子结构的显著修正，影响锑烯中的电子-声子耦合。尽管这些效应在电子掺杂情况下较不明显，场效应在空穴掺杂锑烯中导致临界温度随偏置电压发生显著变化。
引用
@article{arxiv.1806.08203,
title = {Electron-phonon properties and superconductivity of doped antimonene},
author = {A. V. Lugovskoi and M. I. Katsnelson and A. N. Rudenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.08203},
year = {2019}
}