电子掺杂单层锑中栅极可调的红外等离激元
材料科学
2018-11-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了对单层锑晶体（antimonene，锑烯）——一种具有强自旋轨道耦合的新型二维半导体——中集体电子激发的理论研究。基于紧束缚模型，我们考虑了电子掺杂的 antimonene，并证明自旋轨道效应与外部偏压的结合在为中红外光谱范围带来了奇特的等离激元激发。这些激发以低损耗和负色散为特征，其频率可通过掺杂和偏置电压有效调谐。观察到的行为归因于导带的自旋分裂，其引发了带间共振，影响了集体激发。我们的发现为开发具有高可调性、工作于相关技术光谱范围的等离激元和光电子器件开辟了可能。
引用
@article{arxiv.1808.02619,
title = {Gate-tunable infrared plasmons in electron-doped single-layer antimony},
author = {D. A. Prishchenko and V. G. Mazurenko and M. I. Katsnelson and A. N. Rudenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.02619},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 4 figures