薄层拓扑绝缘体中等离子体激元激发的自旋-电荷分离
介观与纳米尺度物理
2013-12-02 v2
摘要
我们讨论了薄层拓扑绝缘体中的等离子体激元激发。在表面态无杂化且两层具有相同电子密度的极限下，顶层与底层之间的静电耦合导致了光学和声学等离激元，它们是纯粹的电荷和自旋集体振荡。我们随后论证，最近关于 Bi2Se3 等离子体激元激发的实验 [Di Pietro et al, Nat. Nanotechnol. 8, 556 (2013)] 必须通过包含两个表面下方耗尽层的二维电子气的电荷响应来解释。我们还给出了一个解析公式以拟合他们的数据。
引用
@article{arxiv.1308.5904,
title = {Spin-charge separation of plasmonic excitations in thin topological insulators},
author = {T. Stauber and G. Gómez-Santos and L. Brey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.5904},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 5 figures