载流子等离激元诱导的二维半导体非线性带隙重整化
介观与纳米尺度物理
2015-02-11 v1 材料科学
其他凝聚态物理
摘要
在低维半导体中，掺杂诱导的载流子等离激元可以与准粒子激发强烈耦合，导致显著的带隙重整化。我们发展了一种新的等离激元极点理论，能够高效且准确地捕捉这种耦合。以单层二硫化钼 (MoS2) 作为原型二维 (2D) 半导体，我们揭示了约 400 meV 的增强带隙重整化及其带隙随掺杂的非线性演化异常现象。这一二维预测与一维结构中常见的线性行为显著不同。我们发展的方法使得对一般掺杂二维半导体中的多体相互作用进行定量理解成为可能，并为新型带隙工程技术铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1408.5815,
title = {Carrier Plasmon Induced Nonlinear Band Gap Renormalization in Two-Dimensional Semiconductors},
author = {Yufeng Liang and Li Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.5815},
year = {2015}
}