原子薄半导体的能量色散 X 射线谱分析

我们报道了将能量色散 X 射线谱用于层状半导体——以原子薄过渡金属硫族化物形式存在——的实现。该技术基于配备硅漂移探测器的扫描电子显微镜以进行能量色散 X 射线分析。通过在数值模拟与实验中优化操作参数，我们实现了对少层晶体直至单层极限的逐层分辨灵敏度，并展示了过渡金属硫族化物垂直与横向异质双层中的元素组成剖面分析。该技术可直接推广至其他层状二维材料与范德瓦耳斯异质结构，从而拓展用于原子薄材料与器件中层数、原子组成或合金梯度的定量表征的实验工具箱。