在高温 (~100K) 半导体中通过外部控制磁性
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们展示了在 100-117 K 的高温下，通过电和光控制 Mn δ掺杂 GaAs 和 p型 AlGaAs 半导体异质结构中的铁磁性。该异质结构由 Mn δ掺杂的 GaAs 和 p型 AlGaAs 组成，空穴波函数与 Mn δ掺杂轮廓的重叠导致铁磁临界温度 TC 超过 100 K（最大 172 K）。我们能够在等温条件下通过施加栅极电场或光照将 paramagnetic 状态和铁磁状态相互转换。此处在高温 (> ~100 K) 所Demonstrated 的 TC 的大幅调制 (DTC ~15 K) 可能为与当前半导体技术兼容的功能器件应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309532,
title = {External Control of Magnetism in Semiconductors at High Temperature (~100K)},
author = {Ahsan M. Nazmul and S. Kobayashi and S. Sugahara and M. Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309532},
year = {2007}
}
备注
15 pages, 4 figures