稀释磁性半导体和氧化物中铁磁响应的起源
材料科学
2009-11-13 v1 强关联电子
摘要
本文综述了目前对稀释磁性半导体、稀释磁性氧化物以及某些名义上未掺杂磁性的材料中铁磁响应起源的理解。我们认为这些系统可分为四类。第一类属于复合材料，其中已知铁磁、亚铁磁或反铁磁化合物的沉淀物解释了高温下的磁性特征。第二类形成合金，表现出化学纳米尺度相分离，进入磁性组分浓度小和大的区域。第三类包括 (Ga,Mn)As、重掺杂 p-(Zn,Mn)Te 及相关半导体。在这些固溶体中，基于空穴介导铁磁性的 p-d Zener 模型以及 Kohn-Luttinger kp 理论或多轨道紧束缚方法构建的理论，定性地且常常定量地描述了许多相关性质。最后，在许多载流子掺杂的 DMS 和 DMO 中，长程铁磁相互作用与短程反铁磁相互作用之间的竞争和/或局域化边界的邻近导致了电子纳米尺度相分离。
引用
@article{arxiv.0711.0340,
title = {Origin of ferromagnetic response in diluted magnetic semiconductors and oxides},
author = {Tomasz Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.0340},
year = {2009}
}
备注
review, 19 pages, 4 figures