双层 1T$ ^{\prime} $-ReS$ _{2} $ 中掺杂调控的 Fano 共振：拉曼实验与第一性原理理论分析
介观与纳米尺度物理
2021-09-02 v1
摘要
在晶体管（FET）的双层 ReS 沟道中，我们利用拉曼光谱证明电子掺杂（n）导致面内振动模频率软化与线宽展宽，而面外振动模不受影响。最大变化出现于 151 cm 处的面内拉曼模，其在掺杂浓度 cm 下亦呈现掺杂诱导的 Fano 共振，Fano 参数 1/q = -0.17。第一性原理密度泛函理论（DFT）为我们的结果提供了定量理解，表明面内模的电子-声子耦合（EPC）强于面外模，且其随掺杂的变化与层间堆垛无关。大 EPC 的起源可追溯至 ReS 的 1T 到 1T 结构相变，该相变涉及由 1T 结构嵌套费米面所驱动的原子的面内位移不稳定性。结果亦与同结构的层 ReSe 三层进行比较。
引用
@article{arxiv.2109.00478,
title = {Doping controlled Fano resonance in bilayer 1T$ ^{\prime} $-ReS$ _{2} $: Raman experiments and first-principles theoretical analysis},
author = {Subhadip Das and Suchitra Prasad and Biswanath Chakraborty and Bhakti Jariwala and Sai Shradha and D. V. S. Muthu and Arnab Bhattacharya and U. V. Waghmare and A. K. Sood},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.00478},
year = {2021}
}