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超高载流子密度下双层石墨烯的光学声子异常

材料科学 2013-03-26 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

本文通过第一性原理计算,研究了不同掺杂水平下双层石墨烯(BLG)中的电子-声子耦合(EPC)。所考虑的声子为长波长高能对称(S)和反对称(AS)光学模。研究表明,两者均表现出依赖于费米能级 EFE_F 的、由EPC引起的独特声子线宽和频率位移。我们发现,当费米能级 EFE_F 接近中性点以上约0.5 eV时,AS模与最低的两个导带发生强耦合,产生巨大的线宽(超过100 cm1^{-1})和显著的频率软化(\sim 60 cm1^{-1})。我们的\emph{从头计算}表明,这一剧烈变化的根源在于BLG中不寻常的能带结构。这些结果突显了在高载流子密度区域,能带结构对BLG中EPC的影响。

关键词

引用

@article{arxiv.1204.1584,
  title  = {Optical Phonon Anomaly in Bilayer Graphene with Ultrahigh Carrier Densities},
  author = {Jia-An Yan and K. Varga and M. Y. Chou},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1204.1584},
  year   = {2013}
}

备注

5 pages, 4 figures