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电子-声子耦合对石墨烯中朗道能级的影响

介观与纳米尺度物理 2015-05-30 v1 强关联电子

摘要

我们计算了在外磁场中与声子耦合的石墨烯中电子的态密度(DOS)。我们发现,与频率为ωE\omega_E的爱因斯坦模耦合不仅会移动和展宽朗道能级(LLs),还会通过在能量En±ωEE_n\pm\omega_E处引入一组新峰来根本性地改变态密度,其中EnE_n是第n个朗道能级的能量。如果这些新峰中的一个足够接近某个朗道能级,会导致该朗道能级分裂为两个;如果系统存在能隙,朗道能级可能分裂为三个。新峰出现在区间(ωE,ωE)(-\omega_E,\omega_E)之外,使得该区间内的朗道能级基本不受影响。如果化学势大于声子频率,第零朗道能级位于该区间之外并可能分裂,从而消除其与单个狄拉克点的关联。我们发现,与洛伦兹型或德拜谱等扩展声子分布耦合不会在本质上改变这些结果。

关键词

引用

@article{arxiv.1108.0348,
  title  = {Effects of electron-phonon coupling on Landau levels in graphene},
  author = {Adam Pound and J. P. Carbotte and E. J. Nicol},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1108.0348},
  year   = {2015}
}

备注

16 pages, 17 figures, 1 table. Accepted for publication in PRB