埋藏 GaP/Si 界面处的亚皮秒声学脉冲
材料科学
2017-08-11 v3
摘要
我们报道了在三维半导体晶体中传播的超短声学脉冲的光学产生与检测。在 Si(001) 上生长的晶格匹配 GaP 层的光激发，会在瞬态反射率中引起一个尖锐的尖峰，这是由 GaP/Si 界面处产生并在 GaP 表面检测到的声学脉冲所致，反之亦然。反射率尖峰极短的宽度（0.5 ps）将转化为 3 nm 或 10 个原子双层的空间范围，这与 GaP/Si 界面处混合层的宽度相当。反射率信号也受到 GaP 和 Si 的准周期布里渊振荡的调制，这些振荡源于声学脉冲在晶体中传播时产生的效应。本研究结果展示了简单的光学泵浦-探测方案在埋藏半导体界面质量无损评估中的潜在应用。
引用
@article{arxiv.1612.01239,
title = {Sub-picosecond acoustic pulses at buried GaP/Si interfaces},
author = {Kunie Ishioka and Avinash Rustagi and Andreas Beyer and Wolfgang Stolz and Kerstin Volz and Ulrich Hoefer and Hrvoje Petek and Christopher J. Stanton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.01239},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures