量子阱中的斯托克斯位移：俘获与热化
凝聚态物理
2009-10-28 v1
摘要
在一组具有不同铟摩尔分数、阱宽、生长条件和生长后处理的InGaAs/GaAs样品上进行了低温光致发光和光致发光激发测量。这使得我们能够以受控方式改变样品中无序的程度和来源，从而导致激子吸收线宽在1至18 meV之间变化，以及随之而来的斯托克斯位移在0至8 meV之间变化。建立了两种将斯托克斯位移与线宽展宽联系起来的模型的有效性条件，这些条件基于不同的无序和温度区域。并证明了这些区域之间的连续转变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9609160,
title = {Stokes shift in quantum wells: trapping versus thermalization},
author = {A. Polimeni and A. Patanè and M. Grassi Alessi and M. Capizzi and F. Martelli and A. Bosacchi and S. Franchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9609160},
year = {2009}
}
备注
File apstex, 12 p. + 4 Figures, to appear on Phys. Rev. B (Brief Reports.), 15 Dec. 1996. The figures will be faxed upon request. E-mail:[email protected] Fax: +39-6-4957697