宽 GaN/AlGaN 极性量子阱中的本征斯托克斯位移
介观与纳米尺度物理
2019-07-05 v1
摘要
由于内建电场的存在，即使对于均匀结构，极性量子阱（QWs）的电调制反射（ER）谱的解释也很困难。在这项工作中，我们将极性 GaN/AlGaN 量子阱的室温无接触 ER 与光致发光（PL）谱与有效质量能带结构计算进行比较。我们表明，基态跃迁的发射在 PL 中被观测到，但 ER 主要由激发态之间的跃迁主导。这一效应源于量子阱中极化诱导的内建电场，它破坏了适用于类方势阱的选择定则，允许许多无法在 ER 谱中单独区分的光学跃迁。我们制定了用于识别 PL 和 ER 谱中观测到的光学跃迁的准则。我们得出结论，即使对于具有大宽度、基态跃迁电子-空穴波函数重叠较弱的均匀 GaN/AlGaN 量子阱，也存在本征斯托克斯位移，即发射与吸收之间的偏移。
引用
@article{arxiv.1903.04481,
title = {On intrinsic Stokes shift in wide GaN/AlGaN polar quantum wells},
author = {M. Jarema and M. Gladysiewicz and E. Zdanowicz and E. Bellet-Amalric and E. Monroy and R. Kudrawiec},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.04481},
year = {2019}
}