掺杂高失配合金的吸收谱

高失配合金（HMA）是一类合金元素间电负性差异很大的半导体合金。我们预测了具有导带反交叉的掺杂高失配合金中分裂能带之间跃迁所产生的吸收谱。我们分析了分裂能带之间直接跃迁与间接跃迁的联合态密度。所得谱具有揭示 HMA 特征性反常态分布的特征，从而为其电子结构提供有价值的洞见。特别地，我们预测在吸收边附近存在一个峰，其源于大动量下直接跃迁的抑制。我们给出了近吸收边与高能谱的解析形式，表明它们与标准抛物型半导体中的谱有定性差异。特别地，由于直接跃迁受抑，间接跃迁在远离吸收边的谱中占主导。