拓扑 Kagome 金属中通过电荷密度波序调控本征自旋霍尔效应
材料科学
2024-12-17 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
Kagome 金属是一类拓扑材料,具有丰富的相图,呈现出多种电荷密度波序乃至非常规超导。然而,关于这些非磁性化合物中可能的自旋极化响应仍知之甚少。在此,我们对 kagome 金属 AVSb (A=Cs, Rb, K)、CsTiBi 和 ScVSn 中的本征自旋霍尔效应(SHE)进行了第一性原理计算。我们报道了可与 Weyl 半金属 TaAs 相比拟的大自旋霍尔电导。此外,在 CsVSb 中,SHE 被 CDW 序强烈重整化。我们可基于能带结构的拓扑性质理解这些结果,表明 SHE 由 kagome 子格中 Dirac 节线的位置与形状主导。我们的结果表明 kagome 材料是未来自旋电子学应用中一个有前景的可调控平台。
引用
@article{arxiv.2307.06230,
title = {Tuning the Intrinsic Spin Hall Effect by Charge Density Wave Order in Topological Kagome Metals},
author = {Diana Golovanova and Hengxin Tan and Tobias Holder and Binghai Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.06230},
year = {2024}
}
备注
6+2 pages, 7 figures