使用一阶反转曲线测量区分反常霍尔效应与拓扑霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2025-05-02 v1 材料科学
摘要
下一代磁性存储器依赖新型磁相进行信息存储。诸如斯格明子等新型自旋结构由于其拓扑保护性以及可通过电场进行可控性，提供了一种可能的发展途径。然而，这些自旋结构的共同特征——拓扑霍尔效应（THE），可能会被其他平庸效应所模拟。相互竞争的反常霍尔效应（AHE）分量可以在霍尔电压中产生类似于 THE 的峰值，使得对 THE 的明确识别变得困难。通过将一阶反转曲线（FORC）技术应用于候选拓扑霍尔系统中的霍尔效应，我们可以清楚地区分 THE 和 AHE。该技术允许对具有拓扑非平庸自旋结构的磁性材料和异质结中的 THE 和 AHE 进行定量研究。我们演示了该技术并将其应用于几个实例。
引用
@article{arxiv.2505.00565,
title = {Differentiating anomalous and topological Hall effects using first-order reversal curve measurements},
author = {Gregory M. Stephen and Ryan T. Van Haren and Vinay Sharma and Lixuan Tai and Bingqian Dai and Hang Chi and Kang L. Wang and Aubrey T. Hanbicki and Adam L. Friedman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.00565},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 4 figures