三维节点环半金属中的手性拓扑绝缘相
介观与纳米尺度物理
2017-04-05 v1
摘要
我们确定了具有 P*T 对称性且由两个哈密顿量项定义一个节点环的三维手性绝缘体的拓扑 Z 指数。此类系统可能属于 AIII 或 DIII 对称类。该 Z 不变量是赋予节点环的卷绕数，并与节点环和能隙项零点之间的几何关系相对应。在开放边界条件下，狄拉克锥边缘态与赋予节点环的卷绕数相对应。我们利用 BiTe 族三维拓扑绝缘体材料的低能有效哈密顿量验证了我们的方法。
引用
@article{arxiv.1701.06133,
title = {Chiral topological insulating phases from three-dimensional nodal loop semimetals},
author = {Linhu Li and Chuanhao Yin and Shu Chen and Miguel A. N. Araújo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.06133},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures