拓扑绝缘体的反常霍尔响应
介观与纳米尺度物理
2011-06-30 v2
摘要
具有面外磁化的三维拓扑绝缘体表面导带的反常霍尔效应始终由一个量级为电导量子的内禀拓扑项主导。我们在同一基础上确定了来自能带结构、斜散射、侧跳和磁性杂质的贡献，证明了由于无序重整化的拓扑项压倒了所有其他项，提供了 Z_2 拓扑序的明确特征。不同寻常的是，斜散射在玻恩近似以及散射势的三阶项中都有贡献，同时除了侧跳散射项之外，我们还识别出一个大小相似的新颖内禀侧跳项。然而，这些项从未压倒拓扑贡献。
引用
@article{arxiv.1012.3459,
title = {Anomalous Hall response of topological insulators},
author = {Dimitrie Culcer and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.3459},
year = {2011}
}