反磁性半导体 EuSe2 中实现突破性巨型磁阻与角磁阻的同步
强关联电子
2024-12-24 v1 材料科学
摘要
磁阻效应是自旋电子学、磁力传感器和硬盘等技术的基石。追求具备巨型磁阻 (CMR) 和/或角磁阻 (AMR) 的磁性材料，已吸引数十年来广泛的研究热情与深入调查。本文报道在一种反磁性稀土化合物 EuSe2 中，实现了约 -10^14% 的记录级 CMR 与约 10^14% 的 AMR 的同步获得。这些引人入胜的观察归因于强磁各向异性及局部 Eu2+ 自旋的磁场诱导的反磁性向磁性相变，该相变通过在费米能级附近提升 Se-5p 带的简并性，从而闭合带隙。我们的 DFT 计算完美复现了实验发现，并基于布里渊函数衍生了传输模型。本工作为实现角敏感型自旋电子器件提供了一种潜在的简单反磁性材料。
引用
@article{arxiv.2412.17594,
title = {Simultaneous achievement of record-breaking colossal magnetoresistance and angular magnetoresistance in an antiferromagnetic semiconductor EuSe2},
author = {Qingxin Dong and Pengtao Yang and Zhihao Liu and Yuzhi Wang and Ziyi Liu and Tong Shi and Zhaoming Tian and Jianping Sun and Yoshiya Uwatoko and Quansheng Wu and Genfu Chen and Bosen Wang and Jinguang Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.17594},
year = {2024}
}
备注
17 pages, 4 figures