自旋混合导致的二维磁性单层中的高阶各向异性磁阻
材料科学
2025-10-02 v1
摘要
各向异性磁阻（AMR）是一种众所周知的磁电耦合现象，通常相对于磁场表现出二重对称性。在本研究中，我们揭示了二维磁性单层中存在高阶 AMR。基于对 Fe3GeTe2 和 CrTe2 单层的密度泛函理论（DFT）计算，我们发现不同的能带对 AMR 行为有独特贡献。高阶 AMR 归因于能带交叉点处的强自旋混合，它诱导了显著的贝里曲率。该曲率也对具有主导自旋向上或自旋向下极化特征的电子贡献 AMR。然而，对于表现出强自旋混合的电子，贝里曲率效应变得非平凡，从而导致高阶 AMR。我们的发现为识别和优化具有高阶 AMR 的材料提供了一种有效方法，这对设计高性能自旋电子器件至关重要。
引用
@article{arxiv.2412.08509,
title = {High-order AMR in two-dimensional magnetic monolayers from spin mixing},
author = {M. Q. Dong and Zhi-Xin Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.08509},
year = {2025}
}
备注
6 figures