SiC 杂质层与生长温度对 HPCVD 制备 MgB2 超导带材的影响
超导电性
2011-12-09 v1
摘要
研究了 SiC 杂质层和生长温度对 MgB2 超导带材微观结构和超导性能的影响。利用脉冲激光沉积 (PLD) 系统在柔性金属 Cu (001) 带材上沉积非晶 SiC 杂质层。利用混合物理化学气相沉积 (HPCVD) 系统，在 460 - 600 {\deg}C 的宽温度范围内，在 SiC/Cu 带材顶部生长 MgB2 薄膜以制备 MgB2 超导带材。在所有带材中，在 540 {\deg}C 温度下沉积的 MgB2/SiC/Cu 带材具有最高的 ，约为 37.7 K。扫描电子显微镜 (SEM) 图像揭示了具有良好连通性的六边形 MgB2 晶粒，其尺寸随生长温度变化。与 MgB2/Cu 带材相比，MgB2/SiC/Cu 带材的临界电流密度 () 对沉积温度的依赖关系呈现相反趋势。 行为的改善可以基于 MgB2/SiC/Cu 带材随生长温度增加而增强的磁通钉扎力密度 () 来解释。
引用
@article{arxiv.1112.1908,
title = {Effect of SiC-Impurity Layer and Growth Temperature on MgB2 Superconducting Tapes Fabricated by HPCVD},
author = {Mahipal Ranot and Won Kyung Seong and Soon-Gil Jung and Won Nam Kang and J Joo and C-J Kim and B-H Jun and S. Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.1908},
year = {2011}
}
备注
7 pages, 5 figures