通过界面钝化与等效氧化层厚度微缩改善 InGaAs 纳米线 MOSFET 的器件变异性
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1
摘要
通过集成具有 1.2 nm 等效氧化层厚度的更高 k 值 LaAlO₃ 基栅堆叠，制备了沟道长度（Lch）低至 20 nm 的高性能 InGaAs 全包围栅（GAA）纳米线 MOSFET。研究发现，在更高 k 介质与 InGaAs 之间插入超薄（0.5 nm）Al₂O₃ 界面层可显著改善界面质量并降低器件变异。由此，首次在亚 80 nm 沟道长度下实现了创纪录的 63 mV/dec 亚阈值摆幅，使 InGaAs GAA 纳米线器件成为未来低功耗晶体管的有力候选者。
引用
@article{arxiv.1302.5660,
title = {Variability Improvement by Interface Passivation and EOT Scaling of InGaAs Nanowire MOSFETs},
author = {Jiangjiang J. Gu and Xinwei Wang and Heng Wu and Roy G. Gordon and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5660},
year = {2015}
}
备注
to appear in IEEE Electron Device Letters (3 pages, 5 figures)