基于原子层沉积制备的等比例缩小氧化铟晶体管
材料科学
2022-03-08 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
为了持续提升集成电路的性能与功能，需要具有短沟道长度和低厚度的等比例缩小晶体管。但硅基器件的进一步微缩以及开发与当前制造工艺兼容的替代半导体沟道材料颇具挑战。本文报道了原子层沉积氧化铟晶体管，其沟道长度低至 8 nm、沟道厚度低至 0.5 nm、等效介质氧化物厚度低至 0.84 nm。由于器件尺寸微缩且接触电阻低，该器件在 0.5 V 漏极电压下呈现 3.1 A/mm 的高导通电流，在 1 V 漏极电压下跨导为 1.5 S/mm。我们的器件是兼具后段制程兼容性的等比例缩小晶体管的一种有前景的替代沟道材料。
引用
@article{arxiv.2203.02869,
title = {Scaled indium oxide transistors fabricated using atomic layer deposition},
author = {Mengwei Si and Zehao Lin and Zhizhong Chen and Xing Sun and Haiyan Wang and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.02869},
year = {2022}
}
备注
30 pages, 9 figures. Nat Electron (2022)