对实验性沟道背散射提取方法的批评与比较
介观与纳米尺度物理
2011-01-04 v1
摘要
在本文中，我们批判性地回顾并比较了基于Lundstrom模型提取纳米MOSFET中沟道背散射比的实验方法。目前主要使用两种实验方法，其中最常用的一种基于在不同温度下测量饱和漏极电流。我们表明，该方法受到非常糟糕的假设的影响，并且提取的背散射比严重低估了其实际值，特别关注了在纳米器件中实际提取的背散射。第二种方法基于通过CV特性直接测量反演电荷，并且更接近背散射模型的物理本质。我们通过高迁移率p型锗器件的测量表明，一旦去除了其近似，基于温度的方法会给出与基于CV的方法相同的结果。此外，我们表明基于CV的方法使用了部分与模型不一致的近似。特别是，我们借助二维量子修正器件仿真表明，通过基于CV的方法获得的势垒降低值与用于修正反演电荷的势垒降低值完全不一致，并且提取的饱和反演电荷被低估了。
引用
@article{arxiv.1012.5981,
title = {Criticisms on and Comparison of Experimental Channel Backscattering Extraction Methods},
author = {Gino Giusi and Felice Crupi and Paolo Magnone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5981},
year = {2011}
}