纳米晶体管中的散射作用

我们对双栅极纳米晶体管的通道区和延伸区散射进行建模。结果发现，当通道长度与散射长度相当时，通道右半部分散射导致的漏电流减小，与通道左半部分散射导致的漏电流减小程度相当。这与普遍认为源端散射对驱动电流影响更大的观点相反。当通道长度远大于散射长度时，漏端的散射对驱动电流的劣势作用小于源端散射。最后，我们表明，对于纳米晶体管，经典模型将延伸区建模为简单串联电阻的做法是不有效的。