单层过渡金属二硫族化物晶体管的性能极限
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
利用弹道 MOSFET 模型研究了单层过渡金属二硫族化物晶体管的性能极限。我们使用第一性原理理论计算了二维（2D）过渡金属二硫族化物（MX2）的能带结构。我们发现单层 MX2 的晶格结构与块体 MX2 保持一致。在弹道输运范围内，若采用薄的高 栅介质，单层 MX2 晶体管的性能优于硅晶体管。这使得单层 MX2 成为未来纳米电子器件应用中极具前景的二维材料。
引用
@article{arxiv.1106.4362,
title = {Performance Limits of Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Transistors},
author = {Leitao Liu and S. Bala Kumar and Yijian Ouyang and Jing Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.4362},
year = {2015}
}