二维材料/hBN异质结构中的扭转角依赖能带与谷反转
介观与纳米尺度物理
2021-01-04 v1
摘要
在范德瓦耳斯异质结构中利用相邻原子层间的相对扭转角，已成为调控基于二维材料的器件电子与光电子性质的新自由度。以ABA堆垛三层（TLG）石墨烯为模型体系，我们表明，与常规认知相反，二维材料的能带结构可依据其与六方氮化硼（hBN）的相对对齐角被系统性调控，即便在非常大的扭转角下亦如此。此外，添加或移除hBN衬底会导致TLG最低朗道能级（LL）中K和K'谷的反转。我们的工作阐明了衬底在范德瓦耳斯异质结构中的关键作用，并为通过衬底与扭转角工程实现能带结构修饰及谷调控打开了大门。
引用
@article{arxiv.1803.03679,
title = {Twist Angle-Dependent Bands and Valley Inversion in 2D Materials/hBN Heterostructures},
author = {Shi Che and Petr Stepanov and Supeng Ge and Yongjin Lee and Kevin Myhro and Yanmeng Shi and Ruoyu Chen and Ziqi Pi and Cheng Pan and Bin Cheng and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Marc Bockrath and Yafis Barlas and Roger Lake and Chun Ning Lau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.03679},
year = {2021}
}