由合成范德瓦耳斯异质结构建的原子级薄共振隧穿二极管
材料科学
2015-07-29 v1
摘要
二维范德瓦耳斯材料的垂直集成预计会产生组成层中所不具备的新颖电学与光学性质。本文中，我们通过将石墨烯与单层过渡金属硫族化合物MoS2、MoSe2和WSe2结合，直接合成了两种独特的原子级薄多层异质结。MoS2-WSe2-石墨烯与WSe2-MoSe2-石墨烯异质结的实现，导致了在原子级薄堆叠中出现共振隧穿，具有谱线窄的室温负微分电阻特征。
引用
@article{arxiv.1503.05592,
title = {Atomically Thin Resonant Tunnel Diodes built from Synthetic van der Waals Heterostructures},
author = {Yu-Chuan Lin and Ram Krishna Ghosh and Rafik Addou and Ning Lu and Sarah M. Eichfeld and Hui Zhu and Ming-Yang Li and Xin Peng and Moon J. Kim and Lain-Jong Li and Robert M. Wallace and Suman Datta and Joshua A. Robinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.05592},
year = {2015}
}