低频 regime 下的有效 Floquet 哈密顿量
介观与纳米尺度物理
2020-01-15 v3 统计力学
摘要
我们发展了一种在弱驱动和低频 regime 下推导有效 Floquet 哈密顿量的理论。该理论的构建类比于电子在空间周期性弱势场（如某些晶体材料中所出现）中的能带理论。作为一个典型示例，我们将此理论应用于低强度圆偏振光驱动的石墨烯。我们得到了低频 regime 下有效 Floquet 哈密顿量的解析表达式，其能准确预测准能谱与 Floquet 态。此外，我们指出自洽性是该 regime 下有效哈密顿量为实现高精度所必须满足的关键特征。该方法可用于对多能带固态系统中寻求光致拓扑能带结构变化的非共振驱动提供真实描述。
引用
@article{arxiv.1909.04263,
title = {Effective Floquet Hamiltonian in the low-frequency regime},
author = {Michael Vogl and Martin Rodriguez-Vega and Gregory A. Fiete},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.04263},
year = {2020}
}