二维拓扑绝缘体边缘态中的动态杂质
介观与纳米尺度物理
2021-11-12 v2
摘要
二维拓扑绝缘体的螺旋边缘态在存在有序磁杂质时会表现出态密度(DOS)能隙以及电导受抑。本文将考虑当磁杂质被周期性驱动时，对态密度和透射的动态影响。利用Floquet形式和格林函数，研究了系统性质随驱动频率以及杂质势能贡献的变化关系。我们发现，在所有驱动区间内，增大势能部分都会闭合态密度能隙。透射能隙同样被闭合，并呈现出随能量变化的显著不对称性。这些特征表明，动态输运性质可提供关于磁杂质的宝贵信息。
引用
@article{arxiv.2107.00994,
title = {Dynamic impurities in two-dimensional topological insulator-edge states},
author = {Simon Wozny and Martin Leijnse and Sigurdur I. Erlingsson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.00994},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 8 figures