石墨烯中受保护边缘态的有效哈密顿量
介观与纳米尺度物理
2017-07-05 v3
摘要
拓扑绝缘体(TI)中的边缘态关于布里渊区(BZ)内的时间反演不变动量对称色散,并在处具有受保护的简并性。通常,拓扑绝缘体与平庸绝缘体的区别在于一个或多个拓扑不变量的值,这需要对整个布里渊区的体带结构进行分析。我们基于紧束缚哈密顿量在布里渊区边缘的时间反演不变点处的泰勒展开,提出了一个描述石墨烯中电子态的有效双带哈密顿量。尽管布里渊区的概念并非此类有效模型的一部分,该哈密顿量仍能忠实地描述锯齿型和扶手椅型条带的受保护边缘态。我们证明,边缘态由倒空间和实空间中的能带反转决定,这使得人们可以在不影响体谱的情况下为边缘态选择。
引用
@article{arxiv.1603.04329,
title = {Effective Hamiltonian for protected edge states in graphene},
author = {H. Deshpande and R. Winkler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.04329},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 6 figures