从边缘态物理到纠缠谱：二维拓扑绝缘体中相互作用与杂质的研究
介观与纳米尺度物理
2023-09-06 v2 强关联电子
摘要
我们提出一种将电子相互作用纳入二维拓扑绝缘体研究的新理论方法。通过利用带隙拓扑系统中边缘态物理与纠缠谱之间的对应关系，我们将系统解构为一维通道。该框架使得在拓扑绝缘体讨论中能够简单而优雅地引入费米子相互作用。我们将此方法应用于含相互作用与磁性杂质的 Kane-Mele 模型。
引用
@article{arxiv.2307.01913,
title = {From Edge State Physics to Entanglement Spectrum: Studying Interactions and Impurities in Two-Dimensional Topological Insulators},
author = {Marcela Derli and E. Novais},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.01913},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 3 figures; added reference; corrected typos; improved discussions