利用介电纳米柱在石墨烯中引入非均匀应变
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
开发了一种在石墨烯薄膜中诱导非均匀应变的方法。将介电材料（电子束光刻胶）制成的柱体置于石墨烯与基底之间，柱体间的石墨烯部分附着在基底上。应变的强度和空间图案可通过柱体的尺寸和间距来控制。拉曼光谱以及扫描电子显微镜图像证实了应变的应用。从扫描电子显微镜图像来看，石墨烯薄膜的最大拉伸达到约20%。该技术可应用于石墨烯中带隙的形成。
引用
@article{arxiv.1106.1507,
title = {Introducing Nonuniform Strain to Graphene Using Dielectric Nanopillars},
author = {Hikari Tomori and Akinobu Kanda and Hidenori Goto and Youiti Ootuka and Kazuhito Tsukagoshi and Satoshi Moriyama and Eiichiro Watanabe and Daiju Tsuya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.1507},
year = {2015}
}
备注
Appl. Phys. Express, in press