应变石墨烯中可通过静电栅极调谐的能隙
介观与纳米尺度物理
2011-05-31 v2 材料科学
摘要
我们证明，当由长波长形变产生的赝磁场与标量电势适当耦合时，由于Haldane态的形成，会出现显著的能隙。通过研究实验中常见的各种应变几何结构（例如应变超晶格和起皱的悬浮石墨烯），我们考察了这一物理效应的分支。特别具有技术重要性的是，我们考虑了一种可以通过静电栅极调谐该能隙的装置设计，从而允许设计出用其他材料无法实现的电子器件。
引用
@article{arxiv.1012.0939,
title = {Gaps tunable by electrostatic gates in strained graphene},
author = {T. Low and F. Guinea and M. I. Katsnelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.0939},
year = {2011}
}
备注
See accompanying Physics Synopsis at http://physics.aps.org/synopsis-for/10.1103/PhysRevB.83.195436